巨磁阻抗GMI磁传感器模组

GMI磁传感器利用巨磁阻抗效应（GiantMagneto-Impedance effects, GMI，是指软磁材料的交流阻抗随外加磁场的改变而发生显著变化的现象，产生GMI效应的主要原因是高频电流的趋肤效应）原理制作，由非晶丝材料和驱动电路组成，用于微弱磁场、电流、位置、生物分子浓度等物理量的检测,在地磁场测量、地磁匹配导航及多种弱磁传感器中有着广泛的应用。

可销售的模组概述

将MI传感器元件和驱动电路组装到电路板上的高灵敏度磁性传感器产品。产品特征：

1.实现高灵敏度的磁性测量

2.与电子罗盘用的IC产品相比，较易使用。

3.定制电路板，可调整频带以适用各种各样用途

4.以PCB模组形式供货，便于装入各种外壳/壳体

模组产品共分为DH、DM、DL、DS四类，其中

DH、DM型号可大批量对外供货（优选推荐）

DL、DS型号属特殊用途，不批量供（不推荐）

MI-CB-1DH （GMI线性高灵敏磁传感器）

nT纳高灵敏磁传感器，可检测出地磁的1/50000(nT）的磁场变化。

测量范围:  ±2uT  （uT微特 Microtesla =10 毫高斯 miligaus） 

频带 : 0.1-1kHz

噪声: ±3nT @ 0.1～1000Hz (10pT/Hz@10Hz)

MI-CB-1DM（GMI宽线性磁传感器）

测量磁场范围 ±300uT     响应频率DC～10kHz

线性度0.2%FS             零偏：输出为2.5V （@0mT时），

灵敏度4mV/uT（uT微特 Microtesla =10 毫高斯 miligaus） 

噪声200nT p-p @ 0.1-10Hz

15 Hz @ 1Hz

MI-CB-1DL 宽范围，高线性 （停产，不建议购买）

线性度高(0.4%F.S.)   测量范围:±300uT （uT微特 Microtesla =10 毫高斯 miligaus） 

频带:DC～10kHz (high responsiveness) 

噪音: ±1mG @ 0.1～10Hz 电路板尺寸: 31.5mm×11mm

欲购买该型号，可以直接选更新版MI-CB-1DM

MI-CB-1DS 交流高灵敏

频响限制 0.3Hz～5Hz时灵敏度为 30mV/mGs  （uT微特 Microtesla =10 毫高斯 miligaus） 

分辨力 0.3mGs 可以灵敏捕捉磁场变化  

测量范围为±8uT     

噪声为±15nTpp @ 0.3～5Hz 反馈功能抵消地磁等定磁场 尺寸为31mm×10mm